G11C 11/00 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C 14/00- G11C 21/00 имеют преимущество) [5]
Примечание :

Рубрика G11C 11/56 имеет преимущество перед рубриками G11C 11/02-G11C 11/54 [2].

11/02 . с использованием магнитных элементов
11/04 . . цилиндрической формы, например стержней, проволоки (G11C 11/12,G11C 11/14 имеют преимущество) [2]
11/06 . . с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти
11/061 . . . с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и для считывания с разрушением информации [2]
11/063 . . . . с битовой организацией, например с двухуровневой и/или двухмерной или трехмерной организацией, т.е. для выбора элемента с помощью по меньшей мере двух совпадающих пониженных токов как для считывания, так и для записи [2]
11/065 . . . . с пословной организацией, например двумерной или прямой выборкой, т.е. для выбора всех элементов слова с помощью одного полного тока считывания [2]
11/067 . . . с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и считывания без разрушения информации [2]
11/08 . . многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06) [2]
11/10 . . многоосевых
11/12 . . тензоров; твисторов, т.е. элементов, в которых одна ось магнетизации скручивается
11/14 . . тонкопленочных
11/15 . . . с использованием нескольких магнитных слоев (G11C 11/155 имеет преимущество) [2]
11/155 . . . цилиндрической формы [2]
11/16 . . в которых эффект памяти основан на спин-эффекте
11/18 . с использованием устройств, основанных на эффекте Холла
11/19 . с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах [2]
11/20 . . с использованием параметронов [2]
11/21 . с использованием электрических элементов [2]
11/22 . . с использованием сегнетоэлектрических элементов [2]
11/23 . . с исользованием электростатической памяти на общей пленке, например электростатических ламп Форрестора-Хеффа (G11C 11/22 имеет преимущество) [2]
11/24 . . с использованием конденсаторов (G11C 11/22 имеет преимущество; использование сочетания полупроводниковых приборов и конденсаторов G11C 11/34, например G11C 11/40) [2,5]
11/26 . . с использованием электронных или газоразрядных ламп [2]
11/28 . . . газонаполненных ламп [2]
11/30 . . . вакуумных ламп (G11C 11/23 имеет преимущество) [2]
11/34 . . с применением полупроводниковых приборов [2]
11/36 . . . диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов [2]
11/38 . . . . туннельных диодов [2]
11/39 . . . тиристоров [5]
11/40 . . . транзисторов [2]
11/401 . . . . образующих ячейки, для которых необходимо восстановление или регенерация заряда [5]
11/402 . . . . . с регенерацией заряда отдельно для каждой ячейки памяти, т.е. внутреннее восстановление [5]
11/403 . . . . . с регенерацией заряда, общего для множества ячеек памяти, т.е. внешнее восстановление [5]
11/404 . . . . . . с одним вентилем с переносом заряда, например МОП-транзистором, в одной ячейке памяти [5]
11/405 . . . . . . с тремя вентилями с переносом заряда, например МОП-транзисторами, в одной ячейке памяти [5]
11/406 . . . . . управление или регулирование циклов восстановления или регенерации заряда [5]
11/407 . . . . . вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации полевых ячеек памяти (вообще G11C 5/00-G11C 8/00) [5]
11/408 . . . . . . адресные схемы [5]
11/409 . . . . . . схемы записи-считывания (R-W) [5]
11/41 . . . . образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры Шмидта [5]
11/411 . . . . . с использованием только биполярных транзисторов [5]
11/412 . . . . . с использованием только полевых транзисторов [5]
11/413 . . . . . вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания, синхронизации или преобразования энергии (вообще G11C 5/00-G11C 8/00) [5]
11/414 . . . . . . для элементов памяти биполярного типа [5]
11/415 . . . . . . . адресные схемы [5]
11/416 . . . . . . . схемы записи - считывания [5]
11/417 . . . . . . для элементов памяти с полевым эффектом [5]
11/418 . . . . . . . адресные схемы [5]
11/419 . . . . . . . схемы записи - считывания [5]
11/42 . . с использованием оптоэлектронных приборов, т.е. светоизлучающих и фотоэлектрических устройств, связанных оптически или электрически
11/44 . . с использованием сверхпроводящих элементов, например криотронов [2]
11/46 . с использованием термопластичных элементов
11/48 . с использованием перемещающихся элементов, например ферромагнитных сердечников для изменения индуктивности или индуктивной связи
11/50 . с использованием электрических контактных устройств для накопления информации (механические устройства памяти G11C 23/00; переключатели, обеспечивающие определенное число срабатываний при однофазном воздействии на ручной элемент управления H01H 41/00)
11/52 . . электромагнитных реле
11/54 . с использованием элементов, имитирующих биологические клетки, например нейроны
11/56 . с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H03K 25/00, H03K 29/00) [2]